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VS-18TQ040STRRHM3

更新时间： 2024-09-28 02:50:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
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7页 160K
描述
High Performance Schottky Rectifier, 18 A

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VS-18TQ040STRRHM3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.72 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1800 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向电流：2500 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

VS-18TQ040STRRHM3 数据手册

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VS-18TQ035SHM3, VS-18TQ040SHM3, VS-18TQ045SHM3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 18 A  
FEATURES  
• 175 °C TJ operation  
Base  
cathode  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
2
• High  
purity,  
high  
temperature  
epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical strength  
and moisture resistance  
2
3
3
1
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
1
N/C  
Anode  
D2PAK (TO-263AB)  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 245 °C  
• AEC-Q101 qualified  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
• Meets JESD 201 class 1 whisker test  
IF(AV)  
18 A  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VR  
VF at IF  
35 V, 40 V, 45 V  
0.53 V  
IRM  
25 mA at 125 °C  
175 °C  
DESCRIPTION  
TJ max.  
The VS-18TQ... Schottky rectifier series has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
EAS  
24 mJ  
D2PAK (TO-263AB)  
Package  
Circuit configuration  
Single  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
18  
UNITS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
Rectangular waveform  
A
V
Range  
35 to 45  
1800  
tp = 5 μs sine  
18 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
A
0.53  
V
TJ  
-55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-18TQ035SHM3 VS-18TQ040SHM3 VS-18TQ045SHM3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
35  
40  
45  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 149 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
18  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
1800  
390  
24  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 3.6 A, L = 3.7 mH  
Non-repetitive avalanche energy  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
Repetitive avalanche current  
3.6  
Revision: 04-Aug-17  
Document Number: 96125  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-18TQ040STRR-M3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 18 A
VS-18TQ040STRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 18A, 40V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
VS-18TQ045HN3 VISHAY

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