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VS-10CDH06-M3/I PDF预览

VS-10CDH06-M3/I

更新时间： 2024-02-21 23:44:25
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 软恢复二极管超快速软恢复二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 105K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMPD, 3/2 PIN

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VS-10CDH06-M3/I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMPD, 3/2 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：20 weeks 1 day风险等级：5.59
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.5 VJEDEC-95代码：TO-263AC
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：3 µA最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-10CDH06-M3/I 数据手册

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VS-10CDH06-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Hyperfast Rectifier, 2 x 5 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Hyperfast recovery time, reduced Qrr, and soft  
recovery  
K
• 175 °C maximum operating junction temperature  
• For PFC CRM / CCM, snubber operation  
• Low forward voltage drop  
1
2
• Low leakage current  
Top View  
Bottom View  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
TO-263AC (SMPD)  
• Meets JESD 201 class 2 whisker test  
Anode 1  
K
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
Cathode  
Anode 2  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
State of the art hyperfast recovery rectifiers designed with  
optimized performance of forward voltage drop, hyperfast  
recovery time, and soft recovery.  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-263AC (SMPD)  
2 x 5 A  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness, and  
reliability characteristics.  
IF(AV)  
VR  
600 V  
These devices are intended for use in PFC, boost, in the  
AC/DC section of SMPS, freewheeling and clamp diodes.  
VF at IF  
trr  
1 V  
35 ns  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce power  
dissipation in the switching element and snubbers.  
TJ max.  
Diode variation  
175 °C  
Dual die  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
600  
10  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
VRRM  
V
per device  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
IF(AV)  
Tsolder pad = 153 °C  
per diode  
per device  
per diode  
5
A
110  
60  
IFSM  
TJ = 25 °C, 6 ms square pulse  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
600  
-
-
V
IF = 5 A  
-
-
-
-
-
1.2  
1
1.5  
1.25  
3
Forward voltage, per diode  
VF  
IF = 5 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
-
Reverse leakage current, per diode  
Junction capacitance, per diode  
IR  
μA  
pF  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
15  
6
150  
-
CT  
Revision: 10-Feb-15  
Document Number: 95808  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

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