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VS-10CTQ150STRRPBF PDF预览

VS-10CTQ150STRRPBF

更新时间： 2024-11-25 15:57:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
8页 269K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3

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VS-10CTQ150STRRPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.26其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.73 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：620 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：150 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-10CTQ150STRRPBF 数据手册

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VS-10CTQ150SPbF, VS-10CTQ150-1PbF  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 5 A  
FEATURES  
VS-10CTQ150SPbF  
VS-10CTQ150-1PbF  
• 175 °C TJ operation  
• Center tap configuration  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
• AEC-Q101 qualified  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
D2PAK  
TO-262  
DESCRIPTION  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
D2PAK, TO-262  
2 x 5 A  
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low  
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier  
technology allows for reliable operation up to 175 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
IF(AV)  
VR  
150 V  
VF at IF  
IRM  
0.93 V  
7 mA at 125 °C  
175 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
5 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
10  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
150  
tp = 5 μs sine  
620  
A
VF  
5 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.73  
V
TJ  
-55 to +175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-10CTQ150SPbF  
VS-10CTQ150-1PbF  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
150  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 155 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
per leg  
5
Maximum average  
forward current, see fig. 5  
IF(AV)  
A
per device  
10  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 1 A, L = 10 mH  
Following any rated load  
condition and with rated  
620  
Maximum peak one cycle non-repetitive   
IFSM  
A
surge current per leg, see fig. 7  
115  
5
V
RRM applied  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1
Revision: 20-May-14  
Document Number: 94116  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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VS-10CTQ150STRRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-10CTQ150STRLPBF VISHAY

完全替代

 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, TO-263AB, HALOGEN

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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