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VS-10BQ030TRPBF

更新时间： 2024-11-25 13:15:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		整流二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	109K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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VS-10BQ030TRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.33	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.3 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	90 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

VS-10BQ030TRPBF 数据手册

VS-10BQ030PbF

Vishay High Power Products

Schottky Rectifier, 1.0 A

FEATURES

• Small foot print, surface mountable

• Very low forward voltage drop

• High frequency operation

Cathode

Anode

• Guard ring for enhanced ruggedness and long

term reliability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

260 °C

SMB

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

• Designed and qualified for industrial level

DESCRIPTION

PRODUCT SUMMARY

The VS-10BQ030PbF surface mount Schottky rectifier has

been designed for applications requiring low forward drop

and small foot prints on PC boards. Typical applications are

in disk drives, switching power supplies, converters,

freewheeling diodes, battery charging, and reverse battery

protection.

I_F(AV)

1.0 A

30 V

V_R

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

SYMBOL

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

CHARACTERISTICS

VALUES

1.0

UNITS

Rectangular waveform

t_p= 5 ms sine

1.0 Apk, T_J= 125 °C

Range

430

V_F

0.30

T_J

- 55 to 150

°C

VOLTAGE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

VS-10BQ030PbF

UNITS

Maximum DC reverse voltage

V_R

Maximum working peak reverse voltage

V_RWM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

50 % duty cycle at T_L= 106 °C, rectangular waveform

VALUES

UNITS

Maximum average forward current

I_F(AV)

1.0

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

See fig. 6

Following any rated

load condition and with

rated V_RRMapplied

5 μs sine or 3 μs rect. pulse

430

I_FSM

10 ms sine or 6 ms rect. pulse

T_J= 25 °C, I_AS= 1 A, L = 6 mH

Non-repetitive avalanche energy

Repetitive avalanche current

E_AS

I_AR

3.0

Current decaying linearly to zero in 1 μs

Frequency limited by T_Jmaximum V_A= 1.5 x V_Rtypical

1.0

Document Number: 94111

Revision: 03-Mar-10

For technical questions, contact: diodestech@vishay.com

www.vishay.com

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