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VP2110K1

更新时间： 2024-01-17 09:31:58

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描述
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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VP2110K1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	2.90 X 1.30 MM, 1.12 MM HEIGHT, GREEN PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	1.81
Samacsys Description：	MOSFET 100V 12Ohm	其他特性：	LOW THRESHOLD
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	0.12 A	最大漏源导通电阻：	12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	8 pF
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

VP2110K1 数据手册

VP2106/VP2110

Typical Performance Curves

BV_DSSVariation with Temperature

On-Resistance vs. Drain Current

-1.1

= -5V

-1.0

= -10V

-0.9

-50

100

150

-50

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

_D(amperes)

T_j(°C)

Transfer Characteristics

V_(th)and R_DSVariation with Temperature

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

= -25V

= -55°C

@ -10V, 0.5A

DS(ON)

25°C

125°C

@ 1mA

(th)

-2

-4

-6

-8

-10

100

150

V_GS(volts)

T_j(°C)

Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage

f = 1MHz

Gate Drive Dynamic Characteristics

100

-10

-8

V_DS= -10V

V_DS

= -40V

-6

101 pF

-4

C_ISS

-2

35 pF

C_OSS

C_RSS

-10

-20

-30

-40

1.0

2.0

Q_G(nanocoulombs)

V_DS(volts)

11/12/01

1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089

TEL: (408) 744-0100 • FAX: (408) 222-4895

www.supertex.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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VP2110N3P007	SUPERTEX	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
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