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VP2110K1

更新时间： 2024-02-05 17:40:40
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX /
页数 文件大小 规格书
4页 457K
描述
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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VP2110K1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：2.90 X 1.30 MM, 1.12 MM HEIGHT, GREEN PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：1.81
Samacsys Description：MOSFET 100V 12Ohm其他特性：LOW THRESHOLD
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：0.12 A最大漏源导通电阻：12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：8 pF
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.36 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

VP2110K1 数据手册

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VP2106/VP2110  
Thermal Characteristics  
Package  
ID (continuous)*  
ID (pulsed)  
Power Dissipation  
θjc  
θja  
IDR*  
IDRM  
@ TA = 25°C  
°C/W  
°C/W  
TO-236AB  
TO-92  
-120mA  
-0.25A  
-400mA  
-0.8A  
0.36W  
0.74W  
200  
125  
350  
170  
-120mA  
-0.25A  
-400mA  
-0.8A  
* ID (continuous) is limited by max rated Tj.  
Electrical Characteristics (@ 25°C unless otherwise specified)  
Symbol  
Parameter  
Min  
-100  
-60  
Typ  
Max  
Unit  
Conditions  
BVDSS  
Drain-to-Source  
Breakdown Voltage  
VP2110  
VP2106  
V
ID = -1.0mA, VGS = 0V  
VGS(th)  
∆VGS(th)  
IGSS  
Gate Threshold Voltage  
-1.5  
-3.5  
6.5  
V
mV/°C  
nA  
VGS = VDS, ID = -1.0mA  
ID = -1.0mA, VGS = VDS  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
Change in VGS(th) with Temperature  
Gate Body Leakage  
5.8  
-1.0  
-100  
-10  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
µA  
VGS = 0V, VDS = Max Rating  
V
GS = 0V, VDS = 0.8 Max Rating  
-1  
mA  
A
TA = 125°C  
ID(ON)  
ON-State Drain Current  
-0.50  
150  
-1.0  
11  
9.0  
0.55  
200  
45  
22  
3
VGS = -10V, VDS = -25V  
VGS = -5V, ID = -0.1A  
RDS(ON)  
15  
12  
Static Drain-to-Source  
ON-State Resistance  
Ω
V
GS = -10V, ID = -0.5A  
∆RDS(ON)  
GFS  
CISS  
COSS  
CRSS  
td(ON)  
tr  
Change in RDS(ON) with Temperature  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
1.0  
%/°C  
VGS = -10V, ID = -0.5A  
VDS = -25V, ID = -0.5A  
Ω
m
60  
30  
8
VGS = 0V, VDS = -25V  
f = 1 MHz  
Common Source Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-ON Delay Time  
pF  
ns  
4
5
VDD = -25V  
ID = -0.5A  
Rise Time  
5
8
td(OFF)  
tf  
Turn-OFF Delay Time  
Fall Time  
5
9
RGEN = 25Ω  
4
8
VSD  
trr  
Diode Forward Voltage Drop  
Reverse Recovery Time  
-1.2  
400  
-2.0  
V
ISD = -0.5A, VGS = 0V  
ISD = -0.5A, VGS = 0V  
ns  
Notes:  
1.All D.C. parameters 100% tested at 25°C unless otherwise stated. (Pulse test: 300µs pulse, 2% duty cycle.)  
2.All A.C. parameters sample tested.  
Switching Waveforms and Test Circuit  
0V  
10%  
PULSE  
GENERATOR  
INPUT  
90%  
-10V  
Rgen  
t(ON)  
td(ON)  
t(OFF)  
td(OFF)  
tr  
tF  
D.U.T.  
OUTPUT  
0V  
INPUT  
90%  
90%  
RL  
OUTPUT  
VDD  
10%  
10%  
VDD  
2
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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