VP0300L

更新时间： 2024-01-23 08:50:24

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超科 - SUPERTEX		晶体小信号场效应晶体管开关输入元件
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描述
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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VP0300L 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-237AA
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	2.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	60 pF
JEDEC-95代码：	TO-237AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

VP0300L 数据手册

VP0300

P-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Ordering Information

Order Number / Package

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D(ON)

BV_DGS

(max)

(min)

TO-92

-30V

2.5Ω

-1.5A

VP0300L

Features

Advanced DMOS Technology

These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a

vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate

manufacturing process. This combination produces devices with

the power handling capabilities of bipolar transistors and with the

high input impedance and positive temperature coefficient inher-

ent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these

devices are free from thermal runaway and thermally-induced

secondary breakdown.

■

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low C_ISSand fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral Source-Drain diode

High input impedance and high gain

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast

switching speeds are desired.

Complementary N- and P-channel devices

Applications

■

Motor controls

Package Options

Converters

Amplifiers

Switches

Power supply circuits

Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps, memories,

displays, bipolar transistors, etc.)

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

Drain-to-Gate Voltage

Gate-to-Source Voltage

S G D

TO-92

BV_DSS

BV_DGS

± 20V

Operating and Storage Temperature

-55°C to +150°C

300°C

Soldering Temperature*

Note: See Package Outline section for dimensions.

* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

7-227

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VP0300L18	VISHAY	获取价格	320mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
VP0300L-18	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP0300L18-1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP0300L18-2	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP0300L-1TA	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP0300L-2TA	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP0300LP001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP0300LP003	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP0300LP005	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP0300LP007	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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