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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 120 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 10 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 20 pF | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VN1210M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 250MA I(D) | TO-237 |
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| VN1210M18 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN1210M18-2 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN1210M-1TA | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN1210M-1TR1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN1210M-2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN1210M-2-18 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN1210M-2TA | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN1210MTR1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN1210N1 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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