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VN10KLS-TA

更新时间： 2024-10-01 21:21:55

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	57K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92S, 3 PIN

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VN10KLS-TA 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.56
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.31 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

VN10KLS-TA 数据手册

VN0610L, VN10KLS, VN2222L

Vishay Siliconix

N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs with Zener Gate

PRODUCT SUMMARY

Part Number

V_(BR)DSSMin (V)

r_DS(on)Max (W)

V_GS(th)(V)

I_D(A)

VN0610L

VN10KLS

VN2222L

5 @ V = 10 V

0.8 to 2.5

0.6 to 2.5

0.27

0.31

0.23

5 @ V = 10 V

7.5 @ V = 10 V

FEATURES

BENEFITS

APPLICATIONS

Zener Diode Input Protected

Low On-Resistance: 3 W

Ultralow Threshold: 1.2 V

Low Input Capacitance: 38 pF

Low Input and Output Leakage

Extra ESD Protection

Low Offset Voltage

Low-Voltage Operation

High-Speed, Easily Driven

Low Error Voltage

Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,

Memories, Transistors, etc.

Battery Operated Systems

Solid-State Relays

Inductive Load Drivers

Device Marking

Front View

TO-226AA

(TO-92)

TO-92S

VN0610L

Device Marking

Front View

“S” VN

0610L

xxyy

VN10KLS

“S” VN

10KLS

xxyy

VN2222L

“S” VN

2222L

xxyy

“S” = Siliconix Logo

xxyy = Date Code

“S” = Siliconix Logo

xxyy = Date Code

Top View

VN10KLS

VN0610L

VN2222L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

VN2222L

VN0610L

Parameter

Symbol

VN10KLS

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

15/–0.3

0.27

0.17

15/–0.3

0.31

0.20

1.0

T = 25_C

Continuous Drain Current (T = 150__C)

T = 100_C

Pulsed Drain Current

T = 25_C

0.8

0.9

Power Dissipation

T = 100_C

0.32

156

0.4

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

thJA

139

_C/W

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

Notes

a. Pulse width limited by maximum junction temperature.

Document Number: 70213

S-04279—Rev. F, 16-Jul-01

www.vishay.com

11-1

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VN10KLSTR	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN10KM	TEMIC	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors
VN10KM	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin(3+Tab) TO-237
VN10KM-1-18	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN10KM18-1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN10KM-2	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN10KM-2-18	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN10KM-2TA	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN10KM-2TR1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN10KN	ETC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs

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