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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-237AA |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.56 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.31 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF | JEDEC-95代码： | TO-237AA |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VN10KM-2TA | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN10KM-2TR1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| VN10KN | ETC |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs |
|
| VN10KN3 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| VN10KN3-G | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
|
| VN10KN3-GP002 | MICROCHIP |
获取价格 |
310mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
|
| VN10KN3-G-P002 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| VN10KN3-GP005 | SUPERTEX |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| VN10KN3-GP005 | MICROCHIP |
获取价格 |
310mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
|
| VN10KN3-GP013 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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