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VN0204N6

更新时间: 2024-11-10 22:15:39
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超科 - SUPERTEX /
页数 文件大小 规格书
1页 43K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs Quad Array

VN0204N6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82最大漏极电流 (Abs) (ID):0.86 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):3 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

VN0204N6 数据手册

  

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