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VM43217405CJG-6

更新时间: 2024-01-19 04:45:07
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
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18页 477K
描述
x32 EDO Page Mode DRAM Module

VM43217405CJG-6 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM, SSIM72针数:72
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PSMA-N72
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:72
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SIMM封装等效代码:SSIM72
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:24.13 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.008 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.88 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

VM43217405CJG-6 数据手册

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