5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| VARITRONIX |  |
PC |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 30K |  |
| 描述 | ||
| REMARKS:SAME COMMON SHOULD BE CONNECTED TOGETHER ON P.C.B | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VI-351 | VARITRONIX |
获取价格 |
REMARK: THE SAME COMMON SHOULD BE CONNECTED TOGETHER ON PCB N.C =NO CONNECTION |
|
| VI-401 | VARITRONIX |
获取价格 |
REMARKS : SAME COMMON SHOULD BE CONNECTED TOGHTHER ON P,C,B.N.C =NO CONNECTION |
|
| VI40100C | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A |
|
| VI40100C-E3/4W | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A |
|
| VI40100CHM3-4W | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| VI40100C-M3/4W | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier |
|
| VI40100C-M3-4W | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| VI40100G | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A |
|
| VI40100G-E3/4W | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A |
|
| VI40100GHM3/4W | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
