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VHM40-06P1

更新时间： 2024-11-24 03:20:07

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CoolMOS Power MOSFET

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VHM40-06P1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	雪崩能效等级（Eas）：	1800 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMPLEX
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	38 A
最大漏极电流 (ID)：	38 A	最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

VHM40-06P1 数据手册

VHM40-06P1

I_D25= 38 A

V_DSS= 600 V

R_DSon= 70 mΩ

CoolMOS Power MOSFET

in ECO-PAC 2

N-Channel Enhancement Mode

Low R_DSon, High V_DSSMOSFET

Package with Electrically Isolated Base

K12

K13

P18

R18

F10

K10

NTC

Preliminary data sheet

Pinarangementseeoutlines

T18

V18

X18

Features

MOSFET

●

ECO-PAC 2 with DCB Base

- Electrical isolation towards the heatsink

- Lowcouplingcapacitancetotheheatsinkfor

reduced EMI

- High power dissipation

- High temperature cycling capability

of chip on DCB

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 150°C

600

±20

V_GS

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

- solderable pins for DCB mounting

^●fast CoolMOS power MOSFET - 2^ndgeneration

- High blocking capability

- Low on resistance

- Avalanche rated for unclamped

inductive switching (UIS)

- Low thermal resistance

dv/dt

V_DS< V_DSS; I_F≤ 50A; di_F/dt ≤ 200A/µs

T_VJ= 150°C

V/ns

E_AS

E_AR

I_D= 10 A; L = 36 mH; T_C= 25°C

I_D= 20 A; L = 5 µH; T_C= 25°C

1.8

due to reduced chip thickness

●

Enhanced total power density

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min.

typ. max.

70 mΩ

5.5 V

●

Switched mode power supplies (SMPS)

Uninterruptible power supplies (UPS)

Power factor correction (PFC)

Welding

●

R_DSon

V_GSth

I_DSS

V_GS= 10 V; I_D= I_D90

●

V_DS= 20 V;I_D= 3 mA;

3.5

●

Inductive heating

V_DS= V_DSS;V_GS= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

25 µA

µA

I_GSS

V_GS= ±20 V; V_DS= 0 V

100 nA

Q_g

Q_gs

Q_gd

220

125

V_GS= 10 V; V_DS= 350 V; I_D= 50 A

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

100

V_GS= 10 V; V_DS= 380 V;

I_D= 25 A; R_G= 1.8 Ω

V_F

(reverse conduction) I_F= 20 A; V_GS= 0 V

per MOSFET

0.9

1.1

R_thJC

0.45 K/W

Data according to IEC 60747 refer to a single diode or transistor unless otherwise stated

CoolMOS is a trademark of Infineon Technologies AG.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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