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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> VHO55-12IO7
VHO55-12IO7 PDF预览

VHO55-12IO7

更新时间： 2024-11-24 08:12:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
Single Phase Rectifier Bridge

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VHO55-12IO7 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-D6Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.81
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE最大直流栅极触发电流：100 mA
最大直流栅极触发电压：1.6 V快速连接描述：2G-2AK-CA-CK
螺丝端子的描述：0最大维持电流：200 mA
JESD-30 代码：R-XUFM-D6JESD-609代码：e4
最大漏电流：5 mA通态非重复峰值电流：600 A
元件数量：2端子数量：6
最大通态电流：41000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：41 A断态重复峰值电压：1200 V
重复峰值反向电压：1200 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Gold (Au)
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：35触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

VHO55-12IO7 数据手册

 浏览型号VHO55-12IO7的Datasheet PDF文件第2页 
VHF 55 VHO 55  
VKO 55 VKF 55 VGO 55  
Single Phase  
IdAV = 53 A  
Rectifier Bridge  
VRRM = 800-1600 V  
Preliminary data  
VRSM  
VDSM  
VRRM  
VDRM  
Type  
V
V
VGO 55  
VKF 55  
VHO 55  
VHF 55  
800  
1200  
1400  
1600  
800  
1200  
1400  
1600  
xxx 55-08io7  
xxx 55-12io7  
xxx 55-14io7  
xxx 55-16io7  
xxx = type  
VKO 55  
Maximum Ratings  
Symbol  
Test Conditions  
Features  
• Package with copper base plate  
• Isolation voltage 3000 V~  
• Planar passivated chips  
• Low forward voltage drop  
• 1/4" fast-on power terminals  
IdAV  
IdAVM  
①
①
TK = 85°C, module  
module  
per leg  
53  
53  
41  
A
A
A
I
FRMS, ITRMS  
I
FSM, ITSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
550  
600  
A
A
TVJ = TVJM  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
500  
550  
A
A
A2s  
A2s  
A2s  
A2s  
Applications  
• Supplies for DC power equipment  
• Input rectifiers for PWM inverter  
• Battery DC power supplies  
• Field supply for DC motors  
I2t  
TVJ = 45°C  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1520  
1520  
TVJ = TVJM  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1250  
1250  
VR = 0 V  
Advantages  
(di/dt)cr  
TVJ = 125°C  
repetitive, IT = 50 A  
150  
A/ms  
• Easy to mount with two screws  
• Space and weight savings  
• Improved temperature and power  
cycling capability  
f = 50 Hz, tP = 200 ms  
VD = 2/3 VDRM  
IG = 0.3 A,  
non repetitive, IT = 1/2 • IdAV  
500  
1000  
10  
A/ms  
V/ms  
V
diG/dt = 0.3 A/ms  
• Small and light weight  
(dv/dt)cr  
TVJ = TVJM; VDR = 2/3 VDRM  
RGK = ¥; method 1 (linear voltage rise)  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
VRGM  
PGM  
TVJ = TVJM  
IT = ITAVM  
tp = 30 ms  
tp = 500 ms  
tp = 10 ms  
£
£
£
10  
5
1
W
W
W
W
PGAVM  
0.5  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+125  
125  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
IISOL £ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
Md  
Mounting torque  
(M5)  
(10-32 UNF)  
5 ± 15 %  
44 ± 15 %  
110  
Nm  
lb.in.  
g
Weight  
Data according to IEC 60747 refer to a single diode/thyristor unless otherwise stated  
① for resistive load at bridge output. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

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