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VGO36-16IO7

更新时间： 2024-11-17 21:53:31

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描述
Single Phase Rectifier Bridge

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VGO36-16IO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ECOPAC-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.64
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, HALF-CONTROLLED
最大直流栅极触发电流：	65 mA	最大直流栅极触发电压：	1.2 V
快速连接描述：	2G-2AK-CA-CK	螺丝端子的描述：	0
最大维持电流：	100 mA	JESD-30 代码：	R-XUFM-X6
最大漏电流：	5 mA	通态非重复峰值电流：	350 A
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	31 A
断态重复峰值电压：	1600 V	重复峰值反向电压：	1600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

VGO36-16IO7 数据手册

VGO 36

Single Phase Rectifier Bridge

I_dAV= 36 A

V_RRM= 800-1600 V

Preliminary data

V_RSM

V_DSM

V_RRM

V_DRM

Type

900

1300

1500

1700

800

1200

1400

1600

VGO 36-08io7

VGO 36-12io7

VGO 36-14io7

VGO 36-16io7

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

I_dAV

I_dAVM

①

T_H= 85°C, module

module

per leg

• Package with DCB ceramic

base plate

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

• Low forward voltage drop

• Leads suitable for PC board soldering

_FRMS, I_TRMS

_FSM, I_TSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0 V

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

320

350

T_VJ= T_VJM

V_R= 0 V

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

280

310

A²s

Applications

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0 V

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

500

520

• Supplies for DC power equipment

• Input rectifiers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

T_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

390

400

V_R= 0 V

• Field supply for DC motors

(di/dt)_cr

T_VJ= 125°C

repetitive, I_T= 50 A

150

A/ms

f = 50 Hz, t_P= 200 ms

V_D= 2/3 V_DRM

I_G= 0.3 A,

Advantages

non repetitive, I_T= 1/2 • I_dAV

500

1000

A/ms

V/ms

• Easy to mount with two screws

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling capability

di_G/dt = 0.3 A/ms

(dv/dt)_cr

T_VJ= T_VJM; V_DR= 2/3 V_DRM

_GK= ¥; method 1 (linear voltage rise)

• Small and light weight

V_RGM

P_GM

T_VJ= T_VJM

I_T= I_TAVM

t_p= 30 ms

t_p= 500 ms

t_p= 10 ms

P_GAVM

0.5

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+125

125

-40...+125

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

M_d

Mounting torque (M4)

1.5 - 2

14 - 18 lb.in.

Weight

typ.

Data according to IEC 60747 refer to a single diode/thyristor unless otherwise stated

① for resistive load at bridge output. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 2

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