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VGO55-14IO7

更新时间： 2024-11-17 22:40:59

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描述
Single Phase Rectifier Bridge

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VGO55-14IO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.8
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, HALF-CONTROLLED
最大直流栅极触发电流：	100 mA	最大直流栅极触发电压：	1.6 V
快速连接描述：	2G-2AK-CA-CK	螺丝端子的描述：	0
最大维持电流：	200 mA	JESD-30 代码：	R-XUFM-D11
最大漏电流：	5 mA	通态非重复峰值电流：	600 A
元件数量：	2	端子数量：	11
最大通态电流：	41000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	41 A	断态重复峰值电压：	1400 V
重复峰值反向电压：	1400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR

VGO55-14IO7 数据手册

VHF 55 VHO 55

VKO 55 VKF 55 VGO 55

Single Phase

I_dAV= 53 A

Rectifier Bridge

V_RRM= 800-1600 V

Preliminary data

V_RSM

V_DSM

V_RRM

V_DRM

Type

VGO 55

VKF 55

VHO 55

VHF 55

800

1200

1400

1600

800

1200

1400

1600

xxx 55-08io7

xxx 55-12io7

xxx 55-14io7

xxx 55-16io7

xxx = type

VKO 55

Maximum Ratings

Symbol

Test Conditions

Features

• Package with copper base plate

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

• Low forward voltage drop

• 1/4" fast-on power terminals

I_dAV

I_dAVM

①

T_K= 85°C, module

module

per leg

_FRMS, I_TRMS

_FSM, I_TSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0 V

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

550

600

T_VJ= T_VJM

V_R= 0 V

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

500

550

A²s

Applications

• Supplies for DC power equipment

• Input rectifiers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

• Field supply for DC motors

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0 V

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1520

T_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1250

V_R= 0 V

Advantages

(di/dt)_cr

T_VJ= 125°C

repetitive, I_T= 50 A

150

A/ms

• Easy to mount with two screws

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling capability

f = 50 Hz, t_P= 200 ms

V_D= 2/3 V_DRM

I_G= 0.3 A,

non repetitive, I_T= 1/2 • I_dAV

500

1000

A/ms

V/ms

di_G/dt = 0.3 A/ms

• Small and light weight

(dv/dt)_cr

T_VJ= T_VJM; V_DR= 2/3 V_DRM

R_GK= ¥; method 1 (linear voltage rise)

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

V_RGM

P_GM

T_VJ= T_VJM

I_T= I_TAVM

t_p= 30 ms

t_p= 500 ms

t_p= 10 ms

P_GAVM

0.5

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+125

125

-40...+125

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

M_d

Mounting torque

(M5)

(10-32 UNF)

5 ± 15 %

44 ± 15 %

110

lb.in.

Weight

Data according to IEC 60747 refer to a single diode/thyristor unless otherwise stated

① for resistive load at bridge output. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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