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V62C1801024LL-70B

更新时间： 2024-10-14 22:41:31
品牌 Logo 应用领域
MOSEL 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 94K
描述
Ultra Low Power 128K x 8 CMOS SRAM

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V62C1801024LL-70B 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA33,6X8,30
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e0
长度：12 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：48
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA33,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000001 A
最小待机电流：1 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.025 mA最大供电电压 (Vsup)：2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：2 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：9 mmBase Number Matches：1

V62C1801024LL-70B 数据手册

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V62C1801024L(L)  
Ultra Low Power  
128K x 8 CMOS SRAM  
Functional Description  
Features  
The V62C1801024L is a low power CMOS Static RAM or-  
ganized as 131,072 words by 8 bits. Easy memory expansion  
• Ultra Low-power consumption  
- Active: 20mA at 70ns  
- Stand-by: 5 mA (CMOS input/output)  
1 mA CMOS input/output, L version  
is provided by an active LOW CE1  
, an active HIGH CE2, an  
, and Tri-state I/O’s. This device has an a-  
active LOW OE  
utomatic power-down mode feature when deselected.  
• Single +1.8V to 2.2V Power Supply  
• Equal access and cycle time  
Writing to the device is accomplished by taking Chip E-  
) LOW, and Chip Ena-  
nable 1 (CE1 ) with Write Enable (WE  
ble 2 (CE2) HIGH. Reading from the device is performed by  
) with Output Enable (OE)  
taking Chip Enable 1 (CE1  
• 70/85/100/150 ns access time  
LOW while Write Enable (WE ) and Chip Enable 2 (CE2)  
is HIGH. The I/O pins are placed in a high-impedance st-  
ate when the device is deselected: the outputs are disabled  
during a write cycle.  
• Easy memory expansion with CE1, CE2  
inputs  
and OE  
• 1.0V data retention mode  
The V62C1801024LL comes with a 1V data retention feature  
and Lower Standby Power. The V62C1801024L is available in  
a 32-pin 8 x 20 mm TSOP1 / STSOP / 48-fpBGA packages.  
• TTL compatible, Tri-state input/output  
• Automatic power-down when deselected  
32-Pin TSOP1 / STSOP (See next page)  
Logic Block Diagram  
A
11  
OE  
1
2
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
A
9
A
10  
A
8
CE1  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
GND  
I/O  
I/O  
I/O  
3
INPUT BUFFER  
A13  
8
4
A
0
A
WE  
CE  
7
5
1  
A
2
2
6
6
I/O8  
3  
A
5
A
15  
7
Vcc  
NC  
4
8
A
4
1024  
9
A
5  
X
A
16  
14  
12  
3
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A
6  
A
2
1024  
A
7  
1
A
I/O1  
A8  
A
7
6
5
4
A
0
9  
A
A
A
1
A2  
A3  
A
A
OE  
COLUMN DECODER  
WE  
CONTROL  
CE1  
CIRCUIT  
CE2  
A
10  
A11  
A12  
A13  
A14  
A
15  
A
16  
1
REV. 1.1 April 2001 V62C1801024L(L)  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V62C1801024LL-70T MOSEL

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 		Ultra Low Power 128K x 8 CMOS SRAM
V62C1801024LL-70V MOSEL

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