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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.25 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 5.52 | 模拟集成电路 - 其他类型： | THREE TERMINAL VOLTAGE REFERENCE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 4.9 mm | 湿度敏感等级： | 2 |
| 功能数量： | 1 | 输出次数： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 标称输出电压： | 4.096 V |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.58 mm |
| 子类别： | Voltage References | 最大供电电压 (Vsup)： | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 4.3 V |
| 表面贴装： | YES | 最大电压温度系数： | 3 ppm/ °C |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 微调/可调输出： | YES | 最大电压容差： | 0.08% |
| 宽度： | 3.91 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| REF5040MDREP | TI |
类似代替  |
LOW-NOISE,VERY LOW DRIFT,PRECISION VOLTAGE REFERENCE |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V62/10613-03XE | TI |
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LOW-NOISE,VERY LOW DRIFT,PRECISION VOLTAGE REFERENCE |
|
| V62/10613-04XE | TI |
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Low-Noise, Very Low Drift, Precision Voltage Reference |
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| V62/10616-01XE | TI |
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具有差分电流感应的增强型产品开关模式铅酸电池充电器 | DW | 20 | -55 to |
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| V62/11601-01XE | TI |
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具有分离输出和使能功能的增强型产品 9A/9A 单通道栅极驱动器 | DGK | 8 | |
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| V62/11601-02YE | TI |
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具有分离输出和使能功能的增强型产品 9A/9A 单通道栅极驱动器 | D | 8 | -5 |
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| V62/11601-02YE-T | TI |
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具有分离输出和使能功能的增强型产品 9A/9A 单通道栅极驱动器 | D | 8 | -5 |
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| V62/11610-01XE | TI |
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50-MHz Low-Distortion High-CMRR Rail-to-Rail I/O, Single-Supply Operational Amplifier |
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| V62/11613-01XE | TI |
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具有 2KB 闪存、128B RAM、16 位 Σ-Δ A/D 的增强型产品 16 位超低 |
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| V62/11615-01XE | TI |
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精度为 0.5% 的增强型产品 2.5V 精密微功耗并联电压基准 | DBZ | 3 |
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| V62/11617-01XE | TI |
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