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V23990-P630-A40-PM

更新时间： 2024-10-28 21:13:35
品牌 Logo 应用领域
VINCOTECH 栅
页数 文件大小 规格书
23页 704K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 1200V V(BR)CES

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V23990-P630-A40-PM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：26 A集电极-发射极最大电压：1200 V
门极-发射极最大电压：20 V元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大功率耗散 (Abs)：95 W
子类别：Insulated Gate BIP TransistorsVCEsat-Max：2.1 V
Base Number Matches：1

V23990-P630-A40-PM 数据手册

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V23990-P630-A40-PM  
flow 90PIM 1  
1200V/15A  
Features  
flow 90PIM 1  
● Trench Fieldstop Technology IGBT4 for low saturation loss  
● Supports design with 90°mounting angle between  
heatsink and PCB  
● Clip-in PCB mounting  
● Clip or screw on heatsink mounting  
Schematic  
Target Applications  
● Industrial drives  
Types  
● V23990-P630-A40-PM  
Maximum Ratings  
Tj=25°C, unless otherwise specified  
Condition  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Input Rectifier Diode  
Repetitive peak reverse voltage  
DC forward current  
VRRM  
IFAV  
1600  
V
A
A
Th=80°C  
28  
36  
Tj=Tjmax  
tp=10ms  
Tj=Tjmax  
Tc=80°C  
IFSM  
Tj=25°C  
Surge forward current  
200  
200  
I2t-value  
I2t  
A2s  
W
Tj=150°C  
Th=80°C  
Tc=80°C  
33  
50  
Ptot  
Power dissipation per Diode  
Maximum Junction Temperature  
Tjmax  
150  
°C  
Inverter Transistor  
VCE  
IC  
Collector-emitter break down voltage  
DC collector current  
1200  
V
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
21  
26  
Tj=Tjmax  
ICpulse  
tp limited by Tjmax  
Repetitive peak collector current  
Turn off safe operating area  
Power dissipation per IGBT  
Gate-emitter peak voltage  
Short circuit ratings  
45  
45  
A
VCE ≤ 1200V, Tj ≤ Top max  
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
62  
95  
Ptot  
Tj=Tjmax  
W
V
VGE  
±20  
tSC  
Tj≤150°C  
10  
µs  
V
VCC  
VGE=15V  
800  
Tjmax  
Maximum Junction Temperature  
175  
°C  
copyright Vincotech  
1
Revision: 2  
1234567...23

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与V23990-P630-A40-PM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V23990-P630-A44-PM VINCOTECH

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 37A I(C), 1200V V(BR)CES
V23990-P630-A45-PM VINCOTECH

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 		Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive tem
V23990-P631-A-PM VINCOTECH

获取价格

 		Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive tem
V23990-P632-A-PM VINCOTECH

获取价格

 		Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive tem
V23990-P633-A-PM VINCOTECH

获取价格

 		Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive tem
V23990-P634-A-PM VINCOTECH

获取价格

 		Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive tem
V23990-P635-A-D2-14 VINCOTECH

获取价格

 		Trench Fieldstop Technology IGBT3 for low saturation loss
V23990-P635-A-PM VINCOTECH

获取价格

 		clip or screw on heatsink mounting
V23990-P638-A40-PM VINCOTECH

获取价格

 		Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive tem
V23990-P639-A40-PM VINCOTECH

获取价格

 		Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive tem

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