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V23990-P541-C21-PM

更新时间： 2024-02-04 00:17:49
品牌 Logo 应用领域
VINCOTECH 栅
页数 文件大小 规格书
20页 399K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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V23990-P541-C21-PM 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73Base Number Matches：1

V23990-P541-C21-PM 数据手册

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V23990-P541-A21/ C21-PM  
final datasheet  
Maximum Ratings  
Condition  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Diode Inverter  
Th=80°C  
Tc=80°C  
12  
15  
IF  
IFRM  
Ptot  
Tj=Tjmax  
DC forward current  
A
A
tp limited by  
Tjmax  
Repetitive peak forward current  
Power dissipation per Diode  
Maximum junction temperature  
18  
Th=80°C  
Tc=80°C  
25,8  
39,1  
Tj=Tjmax  
W
°C  
Tjmax  
175  
Transistor BRC  
VCE  
IC  
Collector-emitter break down voltage  
DC collector current  
600  
V
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
9
10  
Tj=Tjmax  
tp limited by  
Tjmax  
Icpuls  
Ptot  
VGE  
Repetitive peak collector current  
Power dissipation per IGBT  
Gate-emitter peak voltage  
Th=80°C  
18  
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
31  
47  
Tj=Tjmax  
W
V
20  
Tjꢁ150°C  
VCE=600  
VGE=15V  
tSC  
SC withstand time*  
6
ꢀs  
Tjmax  
Maximum junction temperature  
175  
°C  
* It is recommended to not exceed 1000 short circuit situations in the lifetime of the module and to allow at least 1s between short circuits  
Diode BRC  
Th=80°C  
Tc=80°C  
10  
10  
IF  
Tj=Tjmax  
DC forward current  
A
A
tp limited by  
Tjmax  
IFRM  
Ptot  
Repetitive peak forward current  
Power dissipation per Diode  
Maximum junction temperature  
Th=80°C  
18  
Th=80°C  
Tc=80°C  
25  
37  
Tj=Tjmax  
W
°C  
Tjmax  
175  
Thermal properties  
Storage temperature  
Operation temperature  
Tstg  
Top  
-40…+125  
-40…+125  
°C  
°C  
Insulation properties  
Insulation voltage  
Creepage distance  
Clearance  
Vis  
t=1min  
4000  
Vdc  
mm  
mm  
min 12,7  
min 12,7  
Copyright by Vincotech  
Revision: 1  
2
1234567...20

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