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V23990-K209-A-/1A/-PM

更新时间： 2024-01-20 07:17:31

品牌	Logo	应用领域
VINCOTECH		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	2488K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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V23990-K209-A-/1A/-PM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.57
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	18 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X29	元件数量：	7
端子数量：	29	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	559 ns	标称接通时间 (ton)：	71 ns
Base Number Matches：	1

V23990-K209-A-/1A/-PM 数据手册

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V23990-K209-A-PM

datasheet

Maximum Ratings

T_j=25°C, unless otherwise specified

Condition

Parameter

Symbol

Value

Unit

D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7

Repetitive peak reverse voltage

DC forward current

V_RRM

I_F

I_FRM

P_tot

1200

T_h=80°C

T_j=T_jmax

t_plimited by T_jmax

T_j=T_jmax

Repetitive peak forward current

Power dissipation

°C

T_jmax

Maximum Junction Temperature

150

Thermal Properties

T_stg

T_op

Storage temperature

-40…+125

°C

Operation temperature under switching condition

-40…+(Tjmax - 25)

Insulation Properties

Insulation voltage

Creepage distance

Clearance

V_is

t=2s

DC voltage

4000

min 12,7

Revision: 3

123 4 5 6 7...17

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