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V23990-K209-A-/1A/-PM

更新时间： 2024-02-28 20:13:04
品牌 Logo 应用领域
VINCOTECH 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 2488K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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V23990-K209-A-/1A/-PM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.57
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：18 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X29元件数量：7
端子数量：29封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：559 ns标称接通时间 (ton)：71 ns
Base Number Matches：1

V23990-K209-A-/1A/-PM 数据手册

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V23990-K209-A-PM  
datasheet  
T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7 / D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7  
Figure 13  
FWD  
Figure 14  
FWD  
Typical reverse recovery charge as a  
function of collector current  
Qrr = f(IC)  
Typical reverse recovery charge as a  
function of IGBT turn on gate resistor  
Qrr = f(Rgon  
)
2,5  
2
Tj = Tjmax -25°C  
Qrr  
Qrr  
2
1,6  
1,2  
0,8  
0,4  
Tj = Tjmax -25°C  
Qrr  
1,5  
1
Qrr  
Tj = 25°C  
Tj = 25°C  
0,5  
0
0
0
I C (A)  
R g on ( Ω)  
0
4
8
12  
16  
40  
80  
120  
160  
200  
At  
At  
Tj =  
VCE  
VGE  
Tj =  
°C  
V
°C  
V
A
V
25/125  
600  
25/125  
600  
8
=
VR =  
=
IF =  
±15  
V
Rgon  
=
VGE =  
81  
ꢀ
±15  
Figure 15  
FWD  
Figure 16  
FWD  
Typical reverse recovery current as a  
function of collector current  
IRRM = f(IC)  
Typical reverse recovery current as a  
function of IGBT turn on gate resistor  
IRRM = f(Rgon  
)
12  
10  
Tj = Tjmax -25°C  
IRRM  
8
6
4
2
0
Tj = 25°C  
IRRM  
9
6
3
Tj = Tjmax - 25°C  
IRRM  
IRRM  
Tj = 25°C  
0
0
I C (A)  
R gon ( Ω )  
200  
40  
80  
120  
160  
0
4
8
12  
16  
At  
At  
Tj =  
VCE  
VGE  
Tj =  
°C  
V
°C  
V
A
V
25/125  
600  
25/125  
600  
8
=
=
VR =  
IF =  
±15  
V
Rgon  
=
VGE =  
81  
ꢀ
±15  
copyright Vincotech  
7
Revision: 3  
1...45678910...17

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