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力特 - LITTELFUSE | ![]() |
电阻器 |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 451K | ![]() |
描述 | ||
VARISTOR 314V 40KA SQUARE 34MM |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | RECTANGULAR, | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8533.40.40.00 |
风险等级: | 5.62 | 其他特性: | HEIGHT INCLUDE TERMINAL |
电路直流最大电压: | 265 V | 电路RMS最大电压: | 200 V |
最大能量吸收容量: | 350 J | JESD-609代码: | e3 |
安装特点: | CHASSIS MOUNT | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装高度: | 56 mm | 封装长度: | 37 mm |
封装形式: | RECTANGULAR | 封装宽度: | 6 mm |
额定温度: | 85 °C | 电阻器类型: | VARISTOR |
表面贴装: | NO | 技术: | METAL OXIDE FILM |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子位置: | DUAL |
端子形状: | LUG | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
V201HG34 | LITTELFUSE |
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VARISTOR 314V 40KA SQUARE 34MM |
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V20200C | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A |
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V20200C_09 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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V20200C-E3 | VISHAY |
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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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V20200C-E3/4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A |
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V20200C-E3-4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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V20200G | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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V20200G-E3 | VISHAY |
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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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V20200G-E3/4W | VISHAY |
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DIODE 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, |
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V20200G-E3-4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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