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V104AJ9L10L

更新时间: 2024-02-19 20:29:00
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 288K
描述
x(8+1) Fast Page Mode DRAM Module

V104AJ9L10L 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:, SIP30,.2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-609代码:e0内存密度:2359296 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:9
端子数量:30字数:262144 words
字数代码:256000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:SIP30,.2电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:16.637 mm最大待机电流:0.0032 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.18 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子节距:2.54 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

V104AJ9L10L 数据手册

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