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V104AJ9S70

更新时间: 2024-02-07 02:38:31
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其他 - ETC 动态存储器
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12页 288K
描述
x(8+1) Fast Page Mode DRAM Module

V104AJ9S70 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SIMM, SIM30
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PSMA-N30
内存密度:2359296 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:9端子数量:30
字数:262144 words字数代码:256000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SIMM
封装等效代码:SIM30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:16.637 mm最大待机电流:0.0032 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.24 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:2.54 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

V104AJ9S70 数据手册

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