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UZXM64P03XTA

更新时间： 2024-02-18 03:01:20

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	208K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-187AA, MSOP-8

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UZXM64P03XTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MSOP-8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW THRESHOLD
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	3.8 A	最大漏源导通电阻：	0.075 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-187AA
JESD-30 代码：	S-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UZXM64P03XTA 数据手册

ZXM64P03X

TYPICAL CHARACTERISTICS

100

+25°C

+150°C

-VGS

4.5V

10V

10V 6V

4.5V

3.5V

2.5V

100m

0.1

100

0.1

100

-VDS - Drain-Source Voltage (V)

Output Characteristics

100

1.7

1.5

1.3

1.1

0.9

0.7

0.5

RDS(on)

T=+25°C

VGS=-10V

ID=-2.4A

T=+150°C

VGS=VDS

ID=-250uA

VGS(th)

VDS=-10V

100m

2.5

3.5

4.5

5.5

-100

+100

+200

-VGS - Gate-Source Voltage (V)

Tj - Junction Temperature (°C)

Typical Transfer Characteristics

Normalised RDS(on) and VGS(th)

v Temperature

100m

10m

100

Vgs=-3V

Vgs=-4.5V

Vgs=-10V

T=+150 C

T=+25 C

100m

10m

0.1

100

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

-I - Drain Current (A)

-V - Source-Drain Voltage (V)

On-Resistance v Drain Current

Source-Drain Diode Forward Voltage

PROVISIONAL ISSUE A - JULY 1999

149

1 2 3 456 7 8

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