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UZXM64P03XTA

更新时间： 2024-01-23 01:07:29

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美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	208K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-187AA, MSOP-8

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UZXM64P03XTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MSOP-8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW THRESHOLD
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	3.8 A	最大漏源导通电阻：	0.075 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-187AA
JESD-30 代码：	S-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UZXM64P03XTA 数据手册

ZXM64P03X

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX.

UNIT CONDITIONS.

STATIC

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Body Leakage

V_(BR)DSS-30

I_DSS

I_D=-250µA, V_GS=0V

V_DS=-30V, V_GS=0V

V_GS=± 20V, V_DS=0V

-1

µA

I_GSS

±100

Gate-Source Threshold Voltage

V_GS(th)

R_DS(on)

g_fs

-1.0

2.3

I_D=-250µA, V_DS

V_GS

Static Drain-Source On-State Resistance

(1)

0.075

0.100

V_GS=-10V, I_D=-2.4A

V_GS=-4.5V, I_D=-1.2A

Ω

Forward Transconductance (3)

DYNAMIC (3)

V_DS=-10V,I_D=-1.2A

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

SWITCHING(2) (3)

Turn-On Delay Time

Rise Time

C_iss

C_oss

C_rss

825

250

V_DS=-25 V, V_GS=0V,

f=1MHz

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

4.4

6.2

_DD=-15V, I_D=-2.4A

R_G=6.2Ω, R_D=6.2Ω

(Refer to test

circuit)

Turn-Off Delay Time

Fall Time

29.2

Total Gate Charge

Gate-Source Charge

Gate Drain Charge

Q_g

V_DS=-24V,V_GS=-10V,

I_D=-2.4A

(Refer to test

circuit)

Q_gs

Q_gd

11.5

SOURCE-DRAIN DIODE

Diode Forward Voltage (1)

V_SD

-0.95

T_j=25°C, I_S=-2.4A,

V_GS=0V

Reverse Recovery Time (3)

Reverse Recovery Charge(3)

t_rr

30.2

27.8

T_j=25°C, I_F=-2.4A,

di/dt= 100A/µs

Q_rr

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% .

(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.

(3) For design aid only, not subject to production testing.

PROVISIONAL ISSUE A - JULY 1999

148

1 2 345 6 7 8

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