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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.33 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-W3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UZTX851STOA | DIODES |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| UZTX853 | DIODES |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| UZTX853STOA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| UZTX853STOA | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| UZTX853STOB | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| UZTX853STOB | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| UZTX855STOA | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| UZTX855STOB | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| UZTX855STOB | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| UZTX857 | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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