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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.86 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 100 Ω | 最大正向电压 (VF)： | 1.35 V |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 5 W |
| 参考标准： | MIL-19500 | 标称参考电压： | 100 V |
| 最大反向电流： | 5 µA | 反向测试电压： | 72 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 电压温度Coeff-Max： | 100 mV/ °C | 最大电压容差： | 10% |
| 工作测试电流： | 10 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UZ5211 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
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| UZ5211E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 110V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
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| UZ5212 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 120V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
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| UZ5212E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 120V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
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| UZ5212HR | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
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| UZ5212-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
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| UZ5213 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
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| UZ5214 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
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| UZ5215 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5215E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 150V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
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