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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.86 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 120 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 10% |
| 工作测试电流： | 10 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE5158A | NTE |
类似代替  |
NTE5111A thru NTE5166A Zener Diode, 5 Watt 5% Tolerance |
|
| 1N5380B | EIC |
功能相似 |
SILICON ZENER DIODES |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UZ5212E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 120V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
|
| UZ5212HR | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
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| UZ5212-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
|
| UZ5213 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5214 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5215 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5215E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 150V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
|
| UZ5216 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5216E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 160V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
|
| UZ5217 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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