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UZ112E3

更新时间: 2024-10-27 14:45:27
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 98K
描述
Zener Diode, 120V V(Z), 5%, 3W, Silicon, Unidirectional,

UZ112E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.79
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W标称参考电压:120 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

UZ112E3 数据手册

  

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