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UTN3055-TN3-R

更新时间: 2024-10-14 07:08:55
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友顺 - UTC 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 124K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

UTN3055-TN3-R 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.68Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V最大漏极电流 (ID):12 A
最大漏源导通电阻:0.12 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):45 A表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

UTN3055-TN3-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
UTN3055  
Power MOSFET  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
„
DESCRIPTION  
The UTC UTN3055 is N-channel logic level enhancement  
mode field effect transistor.  
„
SYMBOL  
2.Drain  
*Pb-free plating product number: UTN3055L  
1.Gate  
3.Source  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Normal  
Lead Free Plating  
1
2
D
D
3
S
S
UTN3055-TN3-R  
UTN3055-TN3-T  
UTN3055L-TN3-R  
UTN3055L-TN3-T  
TO-252  
TO-252  
G
G
Tape Reel  
Tube  
www.unisonic.com.tw  
1 of 5  
Copyright © 2007 Unisonic Technologies Co., Ltd  
QW-R502-138.A  

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