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UTM3023-TN3-R

更新时间: 2024-11-24 07:08:55
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友顺 - UTC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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5页 168K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

UTM3023-TN3-R 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.69
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.02 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):70 A表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

UTM3023-TN3-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
UTM3023  
Power MOSFET  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
„
FEATURES  
* RDS(ON) = 20m@VGS = 10 V  
* Low capacitance  
* Optimized gate charge  
* Fast switching capability  
* Avalanche energy specified  
„
SYMBOL  
2.Drain  
*Pb-free plating product number: UTM3023L  
1.Gate  
3.Source  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Normal  
Lead Free Plating  
1
2
D
D
3
S
S
UTM3023-TN3-R  
UTM3023-TN3-T  
UTM3023L-TN3-R  
UTM3023L-TN3-T  
TO-252  
TO-252  
G
G
Tape Reel  
Tube  
www.unisonic.com.tw  
1 of 5  
Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd  
QW-R502-178.A  

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