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UTD436-TN3-R

更新时间： 2024-10-14 07:08:55

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UTD436-TN3-R 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	60 A	最大漏源导通电阻：	0.013 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	130 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UTD436-TN3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTD436

Preliminary

Power MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE

DESCRIPTION

The UTD436 uses UTC’s advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with low

gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in

PWM applications.

FEATURES

* R_DS(ON)<7.5mΩ @V_GS=10V, I_D=20A

* R_DS(ON)<13mΩ @V_GS=4.5V, I_D=20A

* Low capacitance

* Low gate charge

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

Lead-free:

UTD436L

Halogen-free: UTD436G

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Normal

Lead Free

Halogen Free

UTD436G-TN3-R

UTD436G-TN3-T

UTD436-TN3-R

UTD436-TN3-T

UTD436L-TN3-R

UTD436L-TN3-T

TO-252

Tape Reel

Tube

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-258.a

12 3

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与UTD436-TN3-R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UTD436-TN3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTD452	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTD452G-TN3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTD452G-TN3-T	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 25V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
UTD452L-TN3-R	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 25V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
UTD452L-TN3-T	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 25V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
UTD452-TN3-R	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 25V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
UTD452-TN3-T	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 25V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
UTD454	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UTD454G-TN3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET