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UT62L6416BS-70LL

更新时间: 2024-02-14 21:04:26
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 194K
描述
64K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

UT62L6416BS-70LL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FBGA, BGA48,6X8,30Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
端子数量:48字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-20 °C
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000006 A最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.025 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

UT62L6416BS-70LL 数据手册

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