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UT6264C(E)

更新时间： 2024-11-19 23:41:07

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13页	133K
描述
ASYNCHRONOUS STATIC RAM- High Speed

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UT6264C(E) 数据手册



UTRON

UT6264C

Rev. 1.4

8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

REVISION HISTORY

REVISION

DESCRIPTION

Date

Preliminary Rev. 0.1 Original.

May 3 ,2001

Revised

Rev. 1.0

Jun.4,2001

The timeing waveforms add CE2 control pin

Revised

Rev. 1.1

Rev. 1.2

Package outline dimension

Jan 15,2002

Waveform.

Revised

Improve I_DRfrom 20µA to 10µA (LL-version , max.)

May 14,2002

28-pin PDIP package outline dimension

℃

1. Add Extended temperature : -20 ~85

2. Revised Operating : 45/30 mA (typ.)ꢀ40/30 mA (typ.)

3. Revised CMOS Standby : 2ꢀ0.3mA (typ.) normal

4. Revised DC characteristics :

Rev. 1.3

Rev. 1.4

Jul 30,2002

a. Icc(-35) : 45ꢀ40mA (typ.), 60ꢀ50 mA (max)

b. Icc(-70) : 45ꢀ40mA (max.)

c. Icc1(Tcycle=1us)= 10mA(max.)

d. Icc2(Tcycle=500ns)=20mA(max.)

5. Revised “Order information” : add Extended parts

Add order information for lead free product

May 15,2003

UTRON TECHNOLOGY INC.

P80028

1F, No. 11, R&D Rd. II, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan, R. O. C.

TEL: 886-3-5777882 FAX: 886-3-5777919

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