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UT100N03G-TQ2-R

更新时间： 2024-10-14 12:20:43

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
100A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UT100N03G-TQ2-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	875 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0053 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UT100N03G-TQ2-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT100N03

Power MOSFET

100A, 30V N-CHANNEL

POWER MOSFET

TO-220

DESCRIPTION

The UT100N03 uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with

low gate voltages. This device is suitable for use as a load

switch or in PWM applications.

TO-251

FEATURES

* R_DS(ON)= 5.3mΩ@V_GS=10 V

* R_DS(ON)= 8.0mΩ@V_GS=4.5 V

SYMBOL

2.Drain

TO-263

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

UT100N03L-TA3-T

UT100N03L-TM3-T

UT100N03L-TQ2-R

UT100N03L-TQ2-T

UT100N03G-TA3-T

UT100N03G-TM3-T

UT100N03G-TQ2-R

UT100N03G-TQ2-T

TO-220

TO-251

TO-263

Tube

Tape Reel

Tube

www.unisonic.com.tw

1 of 5

QW-R502-193.D

12 3 4 5

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