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USF32-T PDF预览

USF32-T

更新时间： 2024-11-06 13:01:51
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 33K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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USF32-T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.72其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：SUPER FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.02 µs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

USF32-T 数据手册

 浏览型号USF32-T的Datasheet PDF文件第2页 
USF31  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
USF34  
GLASS PASSIVATED ULTRAFAST RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 200 Volts CURRENT 3.0 Amperes  
FEATURES  
* High reliability  
* Low leakage  
* Low forward voltage  
* High current capability  
* Super fast switching speed  
* High surge capability  
* Good for switching mode circuit  
DO-201AD  
MECHANICALDATA  
* Case: Molded plastic  
(
)
.052 1.3  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
DIA.  
(
)
.048 1.2  
1.0 (25.4)  
MIN.  
* Weight: 1.18 grams  
.375 (9.5)  
.335 (8.5)  
(
)
.220 5.6  
DIA.  
(
)
.197 5.0  
1.0 (25.4)  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
UNITS  
USF31  
USF32  
USF33  
USF34  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Volts  
V
V
RRM  
RMS  
Volts  
Volts  
Volts  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current  
VDC  
100  
I
O
3.0  
Amps  
Amps  
at TA  
= 55oC  
Peak Forward Surge Current IFM (surge):8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
125  
20  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
C
J
pF  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
T
J
, TSTG  
-55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At T  
CHARACTERISTICS  
Maximum Forward Voltage at 3.0A DC  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
SYMBOL  
UNITS  
Volts  
USF31  
USF32  
USF33  
USF34  
V
F
0.95  
10  
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
=100oC  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
IR  
uAmps  
500  
20  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
nSec  
2004-5  
REV: O  
NOTES : 1. Test Conditions: I  
F
=0.5A, I  
R=-1.0A, IRR=-0.25A.  
2. Measured at 1 MH  
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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