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US3D-7 PDF预览

US3D-7

更新时间： 2024-11-25 15:56:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 功效光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMC, 2 PIN

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US3D-7 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.63应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

US3D-7 数据手册

 浏览型号US3D-7的Datasheet PDF文件第2页 
US3A - US3G  
3.0A SURFACE MOUNT SUPER-FAST RECTIFIER  
Features  
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
Super-Fast Recovery Time For High Efficiency  
Low Forward Voltage Drop and High Current  
Capability  
SMC  
B
·
·
·
Surge Overload Rating to 100A Peak  
Ideally Suited for Automated Assembly  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Dim  
A
Min  
5.59  
6.60  
2.75  
0.15  
7.75  
0.10  
0.76  
2.00  
Max  
6.22  
7.11  
3.18  
0.31  
8.13  
0.20  
1.52  
2.62  
A
J
C
D
B
C
D
Mechanical Data  
·
·
E
Case: Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated Terminal - Solderable  
per MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Weight: 0.21 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
G
H
G
H
J
·
·
·
·
E
All Dimensions in mm  
Marking: Type Number  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol US3A  
US3B  
100  
70  
US3C  
150  
US3D  
200  
US3F  
300  
US3G  
400  
Unit  
VRRM  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRWM  
50  
V
VR  
VR(RMS)  
35  
RMS Reverse Voltage  
105  
140  
210  
280  
V
A
IO  
Average Rectified Output Current  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
@ TA = 55°C  
3.0  
IFSM  
100  
A
Forward Voltage  
@ IF = 3.0A  
VFM  
IRM  
0.95  
50  
1.25  
30  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TA = 25°C  
@ TA = 150°C  
5.0  
50  
mA  
trr  
Cj  
Reverse Recovery Time (Note 3)  
35  
ns  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
RqJT  
Tj, TSTG  
Typical Thermal Resistance, Junction to Terminal (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
15  
K/W  
°C  
-65 to +150  
Notes:  
1. Unit mounted on PC board with 5.0 mm2 (0.013 mm thick) copper pads as heat sink.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A. See Figure 5.  
DS30191 Rev. B-1  
1 of 2  
US3A - US3G  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12

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