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US2305

更新时间： 2024-10-14 12:23:19

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合力精密电子 - UNITPOWER		/
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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US2305 数据手册

Unitpoower

US2305

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

▼ Small Package Outline

▼ Surface Mount Device

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-20V

65mΩ

- 4.2A

SOT-23

The SOT-23 package is universally preferred for all commercial-

industrial surface mount applications and suited for low voltage

applications such as DC/DC converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

- 20

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 12

-4.2

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current^1,2

-3.4

-10

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

1.38

0.01

W/℃

℃

Linear Derating Factor

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-amb

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

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