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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-216AA |
| 包装说明： | S-PDSO-G1 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.76 |
| 最小击穿电压： | 9 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-216AA | JESD-30 代码： | S-PDSO-G1 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1000 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 2.5 W | 最大重复峰值反向电压： | 8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPTB8E3/TR7 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |
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| UPTB8TR13 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-216 |
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| UPTB8TR13E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-216 |
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| UPTB8TR7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-216 |
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| UPTB8TR7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-216 |
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| UPTW6101MHD | NICHICON |
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ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS |
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| UPTW6101MHT | NICHICON |
获取价格 |
CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 420V, 100uF, THROUGH HOLE MOUNT, R |
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| UPTW6101MPD | NICHICON |
获取价格 |
ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS |
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| UPTW6101MRD | NICHICON |
获取价格 |
ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS |
|
| UPTW6121MHD | NICHICON |
获取价格 |
ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS |
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