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UPTB12E3/TR7

更新时间: 2024-10-14 21:03:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 239K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERMITE-2

UPTB12E3/TR7 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-216AA
包装说明:S-PDSO-G1针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.54
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT最小击穿电压:13.8 V
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-216AAJESD-30 代码:S-PDSO-G1
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:1000 W元件数量:1
端子数量:1最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:12 V表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

UPTB12E3/TR7 数据手册

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