5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-216AA |
| 包装说明： | S-PDSO-G1 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.71 |
| 最小击穿电压： | 36.8 V | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-216AA |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-G1 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 2.5 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 33 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| UPT33RE3/TR13 | MICROSEMI |
完全替代  |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| UPT33E3/TR13 | MICROSEMI |
类似代替 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPT33RTR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| UPT33RTR13E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| UPT33RTR7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| UPT33RTR7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| UPT33TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| UPT33TR13E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| UPT33TR7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| UPT48 | MICROSEMI |
获取价格 |
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS |
|
| UPT48E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 48V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| UPT48E3/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 48V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
