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UPG2156TB

更新时间： 2024-11-11 07:05:31
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管高功率电源
页数 文件大小 规格书
8页 90K
描述
L-BAND 4 W SINGLE CONTROL HIGH POWER SPDT SWITCH

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UPG2156TB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.17
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
最大输入功率 (CW)：38.06 dBm最大插入损耗：0.65 dB
JESD-609代码：e0最大工作频率：2500 MHz
最小工作频率：800 MHz最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-45 °C射频/微波设备类型：SPDT
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

UPG2156TB 数据手册

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DATA SHEET  
GaAs INTEGRATED CIRCUIT  
µPG2156TB  
L-BAND 4 W SINGLE CONTROL HIGH POWER SPDT SWITCH  
DESCRIPTION  
The µPG2156TB is an L-band single control SPDT GaAs FET switch which was developed for digital cellular or  
cordless telephone application. The device can operate from 800 MHz to 2.5 GHz, having the low insertion loss and  
high linearity.  
FEATURES  
•
Low insertion loss  
: LINS = 0.45 dB TYP. @ Vcont = +2.6 V/0 V, f = 1.0 GHz, IN-OUT1  
: LINS = 0.35 dB TYP. @ Vcont = +2.6 V/0 V, f = 1.0 GHz, IN-OUT2  
: LINS = 0.45 dB TYP. @ Vcont = +2.6 V/0 V, f = 2.0 GHz, IN-OUT1/2  
: Pin (0.1 dB) = 37 dBm TYP. @ Vcont = +2.6 V/0 V, f = 1.0 GHz, IN-OUT1/2  
•
•
High power switching  
6-pin super minimold package (2.1 × 2.0 × 0.9 mm)  
APPLICATION  
•
GSM Triple/Quad band digital cellular  
ORDERING INFORMATION  
Part Number  
Order Number  
Package  
Marking  
G4V  
Supplying Form  
• Embossed tape 8 mm wide  
µPG2156TB-E4  
µPG2156TB-E4-A 6-pin super minimold  
(Pb-Free)  
• Pin 4, 5, 6 face the perforation side of the tape  
• Qty 3 kpcs/reel  
Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.  
Part number for sample order: µPG2156TB  
Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that  
this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices  
representative for availability and additional information.  
Document No. PG10588EJ01V0DS (1st edition)  
Date Published December 2005 CP(K)  
Printed in Japan  
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. 2005  
12345678

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