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UPD4564163G5-A10L-9JF

更新时间： 2024-10-14 20:29:11

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
84页	697K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, MOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

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UPD4564163G5-A10L-9JF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2,
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.29	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

UPD4564163G5-A10L-9JF 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

PD4564441, 4564841, 4564163 for Rev. E

64M-bit Synchronous DRAM

4-bank, LVTTL

Description

The µPD4564441, 4564841, 4564163 are high-speed 67,108,864-bit synchronous dynamic random-access

memories, organized as 4,194,304 × 4 × 4, 2,097,152 × 8 × 4, 1,048,576 ×16 × 4 (word × bit × bank), respectively.

The synchronous DRAMs achieved high-speed data transfer using the pipeline architecture.

All inputs and outputs are synchronized with the positive edge of the clock.

The synchronous DRAMs are compatible with Low Voltage TTL (LVTTL).

These products are packaged in 54-pin TSOP (II).

Features

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by A12 and A13 (Bank Select)

• Byte control (×16) by LDQM and UDQM

• Programmable Wrap sequence (Sequential / Interleave)

• Programmable burst length (1, 2, 4, 8 and full page)

• Programmable /CAS latency (2 and 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• ×4, ×8, ×16 organization

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• LVTTL compatible inputs and outputs

• 4,096 refresh cycles / 64 ms

• Burst termination by Burst stop command and Precharge command

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. M12621EJ8V0DS00 (8th edition)

Date Published October 1998 NS CP (K)

The mark shows major revised points.

Printed in Japan

1997

12 3 4 5 6 7...84

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD4564163G5-A75-9JF	ELPIDA	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, MOS, PDSO54, 10.16 MM, PLASTIC, TSOP2-54
UPD4564163G5-A80-9JF	RENESAS	获取价格	4MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
UPD4564163G5-A80L-9JF	RENESAS	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, MOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
UPD4564323	NEC	获取价格	64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
UPD4564323G5-A10-9JH	ELPIDA	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, MOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
UPD4564323G5-A10-9JH	NEC	获取价格	64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
UPD4564323G5-A10B-9JH	NEC	获取价格	64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
UPD4564323G5-A10B-9JH	ELPIDA	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, MOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
UPD4564323G5-A10BL-9JH	ETC	获取价格	x32 SDRAM
UPD4564323G5-A10L-9JH	ETC	获取价格	x32 SDRAM

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