Datasheet > 存储 > SRAM> UPD43257BCZ-85LL

UPD43257BCZ-85LL

更新时间： 2024-11-26 22:07:59

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
20页	157K
描述
256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT

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UPD43257BCZ-85LL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	85 ns	其他特性：	BATTERY BACKUP
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.72 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

UPD43257BCZ-85LL 数据手册

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

PD43257B

256K-BIT CMOS STATIC RAM

32K-WORD BY 8-BIT

Description

The µPD43257B is a high speed, low power, and 262,144 bits (32,768 words by 8 bits) CMOS static RAM.

Battery backup is available. And the µPD43257B has two chip enable pins (/CE1, CE2) to extend the capacity.

The µPD43257B is packed in 28-pin plastic DIP and 28-pin plastic SOP.

Features

• 32,768 words by 8 bits organization

• Fast access time: 70, 85 ns (MAX.)

• Low V^CCdata retention: 2.0 V (MIN.)

• Two Chip Enable inputs: /CE1, CE2

Part number

Access time

ns (MAX.)

Operating supply Operating ambient

Supply current

At standby

µA (MAX.)

voltage

temperature

°C

At operating

mA (MAX.)

At data retention

µA (MAX.) ^Note

µPD43257B-xxL

µPD43257B-xxLL

70, 85

4.5 to 5.5

0 to 70

Note T^A≤ 40 °C, V^CC= 3.0 V

Version X

This Data sheet can be applied to the version X. This version is identified with its lot number. Letter X in the fifth

character position in a lot number signifies version X.

JAPAN

D43257B

Lot number

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. M10693EJ7V0DS00 (7th edition)

Date Published June 2000 NS CP (K)

The mark ★ shows major revised points.

1992

Printed in Japan

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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UPD43257BGU-70LL	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
UPD43257BGU-70LL-A	NEC	获取价格	MOS INTEGRATED CIRCUIT 256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
UPD43257BGU-85L	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
UPD43257BGU-85L-A	NEC	获取价格	MOS INTEGRATED CIRCUIT 256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
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UPD43257BGU-85LL-A	NEC	获取价格	MOS INTEGRATED CIRCUIT 256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
UPD43258ACR-15	RENESAS	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
UPD43258ACR-20	ETC	获取价格	x8 SRAM

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