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UPD431000CZ-10

更新时间: 2024-11-15 15:56:07
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 164K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, PLASTIC, DIP-32

UPD431000CZ-10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC, DIP-32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.63
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T32
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

UPD431000CZ-10 数据手册

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