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UPD431000CZ-10LL

更新时间: 2024-11-15 20:11:31
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 734K
描述
IC,SRAM,128KX8,CMOS,DIP,32PIN,PLASTIC

UPD431000CZ-10LL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.7最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

UPD431000CZ-10LL 数据手册

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