是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.7 | 最长访问时间: | 100 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.00005 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD431000CZ-12L | NEC |
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Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 | |
UPD431000CZ-85 | RENESAS |
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128KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 | |
UPD431000CZ-85L | NEC |
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Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 | |
UPD431000GW-10L | RENESAS |
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128KX8 STANDARD SRAM, 100ns, PDSO32, MINI, PLASTIC, FP-32 | |
UPD431000GW-10LL | RENESAS |
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IC,SRAM,128KX8,CMOS,SOP,32PIN,PLASTIC | |
UPD431000GW-10LL | NEC |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, MINI, PLASTIC, FP-32 | |
UPD431000GW-12L | NEC |
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Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, MINI, PLASTIC, FP-32 | |
UPD431000GW-12LL | NEC |
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Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, MINI, PLASTIC, FP-32 | |
UPD431000GW-85L | NEC |
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Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, MINI, PLASTIC, FP-32 | |
UPD431000GW-85LL | NEC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, MINI, PLASTIC, FP-32 |