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UPD29F008ALGZ-C12TXLKH

更新时间: 2024-01-07 14:18:21
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页数 文件大小 规格书
44页 1733K
描述
x8 Flash EEPROM

UPD29F008ALGZ-C12TXLKH 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
启动块:TOP命令用户界面:YES
数据轮询:YES耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G40JESD-609代码:e0
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8部门数/规模:1,2,1,15
端子数量:40字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:1MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP40,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:2.2/2.7 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES反向引出线:YES
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.03 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
类型:NOR TYPEBase Number Matches:1

UPD29F008ALGZ-C12TXLKH 数据手册

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